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三星电子第七代V-NAND闪存将达到至少160层

作者 : 电子商务

日期 : 2020-10-05 14:24

科技号消息,根据外媒的报道,三星电子正在开发其第代V-NAND闪存,第一款产品将至少达到层。

外媒表示,三星的层的V-NAND产品可能会在长江储存层产品大量上市时推出,时间大约是年底。

月日,长江存储科技有限责任公司宣布其层QLC D NAND 闪存(型号: X-)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储表示,X-拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量,拥有.Gb/s高速读写性能和.Tb高容量。