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国产芯片崛起可期!中芯国际7nm工艺新突破,或不依靠EUV光刻机【最新头条】

作者 : 电子商务

日期 : 2020-07-05 06:34

核心提示:不过工艺相比台积电、三星的工艺依然存在代的差距,台积电目前工艺良率已经做到,中芯国际才刚开始做,和台积电依然有两代到三代的差距,而且满足不了制造当前最高性能水…目前国内企业已经能够设计出性能优秀的芯片,但是在芯片代工方面,依然是一个短板。相比台积电、三星来说,其工艺已经逐渐成熟,目前正冲向下一代芯片制程。而国内芯片代工方面,只有中芯国际发展乐观,不过此前由于在采购光刻机方面受挫,迟迟没有收到荷兰提供的光刻机,其制程也只能放缓。不过现在消息显示,国产有信了,中芯国际不用光刻机也能搞定。目前中芯国际已开始发展更新一代的+、+工艺。根据中芯国际联席梁孟松的说法,+工艺和相比,性能提升了,功耗降低了,逻辑面积缩小了,面积减少了。+基本上可以确定是级别的工艺了,因为芯片面积缩减意味着晶体管密度提升了倍,这超过了到工艺的进化水平。此外还有+工艺,区别在于性能及成本,+显然是面向高性能的,成本也会增加。在这这两个工艺方面,梁孟松表示+、+代工艺都不会使用工艺,等到设备就绪之后,+之后的工艺才会转向光刻工艺。从综合资料来看,这边是中芯国际的芯片发展轨迹,这也与台积电的工艺路线相差无几。台积电在工艺方面进化了三代,分别为低功耗的、高性能的、使用工艺的+。值得注意的是,同样前两代没有用到光刻机。只有+使用工艺,也是目前台积电的量产工艺。目前中芯国际已经实现了工艺量产,而且随着其量产提速这也为其贡献了的营收,能够满足国内的芯片生产,换句话说即便遇到意外情况,中芯国际量产之后国内也可以自己代工生产以上的芯片。根据产能来看,月产能将在今年月达到,月达到,月达到。其中基于改良的工艺也进入客户导入阶段了,该工艺相比晶体管尺寸进一步缩微。随后中芯国际将跳过直接奔向工艺。不过工艺相比台积电、三星的工艺依然存在代的差距,台积电目前工艺良率已经做到,中芯国际才刚开始做,和台积电依然有两代到三代的差距,而且满足不了制造当前最高性能水平的处理。但至少中芯国际给我国芯片业带来了一个好消息。当然,这种差距是可以缩小的,由于目前的芯片架构已经渐渐靠近摩尔定律的极限,在新的基础物理理论和半导体制造技术突破之前,更精细的制造工艺会面临更长的瓶颈期,这给了中国企业时间,它们可以趁此机会积累资金和经验,赶上行业龙头台积电、三星。 声明:该文观点仅代表作者本人,本站为资讯信息发布平台,仅提供信息展示服务,如果侵犯了您的权益,请与本站联系,我们将立即删除。